单选题对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。A负离子空位B间隙正离子C间隙负离子DA或B
单选题
对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。
A
负离子空位
B
间隙正离子
C
间隙负离子
D
A或B
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析，当加速电压V慢慢地增加时，则首先通过狭峰的是：（）A、质量最小的正离子B、质量最大的负离子C、质荷比最低的正离子D、质荷比最高的正离子
某化合物用一个具有固定狭缝位置和恒定加速电压V的质谱分析仪进行分析时，当磁场强度H慢慢增加时，首先通过狭缝的是（）。A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子
单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（）。A间隙和空位质点同时成对出现B正离子空位和负离子空位同时成对出现C正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D正离子间隙和位错同时成对出现
问答题从负离子的立方密堆积出发， （1）正离子填满所有四面体位置； （2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置； （3）正离子填满所有的八面体位置； （4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
填空题电子崩中正离子的运动速度双自由电子慢，它滞留在产生时的位置缓慢向（）移动