硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
锗二极管正向电压超过0.2伏左右，硅管超过0.5伏左右，正向电流很快上升。
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
锗二极管的正向导通电压为（）。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右
单选题在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A0.1～0.2V／0.3VB0.2～0.3V／0.7VC0.3～0.5V／0.7VD0.5V／0.7V
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。