MOS场效应管有增强型与耗尽型。() 此题为判断题(对，错)。
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
下列描述正确的是（）A、场效应管是电压控制电流元件B、场效应管输入电阻较小C、场效应管是双极型晶体管
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A、绝缘型；B、IGBT型；C、稳压型；
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
单选题下列描述正确的是（）A场效应管是电压控制电流元件B场效应管输入电阻较小C场效应管是双极型晶体管
单选题场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A绝缘型；BIGBT型；C稳压型；