抑制性突触后电位( )A.是去极化局部电位B.有“全或无”性质C.是超极化局部电位D.是突触前膜递质释放量减少所致

抑制性突触后电位( )

A.是去极化局部电位
B.有“全或无”性质
C.是超极化局部电位
D.是突触前膜递质释放量减少所致

参考解析

解析:抑制性突触后电位是抑制性突触传递中,抑制性递质使突触后膜对Cl-或K+通透性增加,从而产生的超极化局部电位。由于是局部电位,故不可能是“全或无”的。

相关考题:

请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。

试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。

兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?

抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。

抑制性突触后电位

抑制性突触后电位(IPSP)

判断题抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。A对B错

单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A兴奋性突触后电位和局部电位B抑制性突触后电位和局部电位C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

问答题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的?

单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成

名词解释题抑制性突触后电位(IPSP)

名词解释题抑制性突触后电位