关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、玻璃基板B、集电矩阵C、非晶硒层D、半导体层E、顶层电极

关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()

  • A、玻璃基板
  • B、集电矩阵
  • C、非晶硒层
  • D、半导体层
  • E、顶层电极

相关考题:

关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

关于DR探测器的类型,错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR

关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()A、使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒(a-SE.C、每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同

关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A、属于间接转换型平板探测器B、常见的多为碘化铯+非晶硅型C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

属于DR成像直接转换方式的部件是()A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、表面电极B、基板层C、光电二极管D、非晶硅TFT阵列E、碘化铯晶体层

单选题关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A玻璃基板B集电矩阵C非晶硒层D半导体层E顶层电极

单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。A信号读出B荧光材料层和探测元阵列层的不同CA/D转换D信号输出E信号放大

单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

多选题关于间接转换型平板探测器结构的叙述,正确的是(  )。A碘化铯晶体层B非晶硅TFT阵列C光电二极管D行驱动电路E表面电极

单选题直接转换型平板探测器中,存储电流信号的元件是(  )。A极间电容B光电二极管C场效应管D模数转换器E非晶硒层

单选题属于DR成像间接转换方式的部件是()A增感屏B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室

单选题属于DR成像直接转换方式的部件是()A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室

单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是(  )。A表面电极B基板层C光电二极管D非晶硅TFT阵列E碘化铯晶体层

单选题关于探测器说法,不正确的是(  )。A非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应

单选题间接转换型平板探测器的组成不包括(  )。A基板层B光电二极管C非晶硅TFT阵列D碘化铯晶体层E集电矩阵

单选题关于直接转换型平板探测器工作原理的描述,错误的是(  )。A入射X线光子在硒层中产生电子-空穴对B电子和空穴向相顶层电极移动C信号电流被相应检测单元的接收电极所收集D储能电容中电荷量与入射X线强度成正比E采集单元储能电容中积聚的电荷被依次读出

单选题集点矩阵层中包含的TFT是(  )。A薄膜晶体管B发光晶体管C非晶硒D非晶硅E氢化非晶硅

单选题关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A属于间接转换型平板探测器B常见的多为碘化铯+非晶硅型C碘化铯层的晶体直接生长在基板上D碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影EX线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器

单选题DR探测器的主要结构为(  )。A导电层和保护层B顶层电极、电介层和高压电源C硒层和集点矩阵层D玻璃衬底层和输入/输出电路E硒层和高压电源

多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。()A碘化铯构成的闪烁体层BCCD层C信号读出电路D石英玻璃衬体E非晶硅薄膜晶体管阵列层