关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、玻璃基板B、集电矩阵C、非晶硒层D、半导体层E、顶层电极
关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()
- A、玻璃基板
- B、集电矩阵
- C、非晶硒层
- D、半导体层
- E、顶层电极
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关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同
关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()A、使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒(a-SE.C、每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同
关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A、属于间接转换型平板探测器B、常见的多为碘化铯+非晶硅型C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
单选题非晶硅平板探测器基本结构为( )。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
单选题关于探测器说法,不正确的是( )。A非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应
单选题关于直接转换型平板探测器工作原理的描述,错误的是( )。A入射X线光子在硒层中产生电子-空穴对B电子和空穴向相顶层电极移动C信号电流被相应检测单元的接收电极所收集D储能电容中电荷量与入射X线强度成正比E采集单元储能电容中积聚的电荷被依次读出
单选题关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()A属于间接转换型平板探测器B常见的多为碘化铯+非晶硅型C碘化铯层的晶体直接生长在基板上D碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影EX线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。()A碘化铯构成的闪烁体层BCCD层C信号读出电路D石英玻璃衬体E非晶硅薄膜晶体管阵列层