单选题DR探测器的主要结构为(  )。A导电层和保护层B顶层电极、电介层和高压电源C硒层和集点矩阵层D玻璃衬底层和输入/输出电路E硒层和高压电源

单选题
DR探测器的主要结构为(  )。
A

导电层和保护层

B

顶层电极、电介层和高压电源

C

硒层和集点矩阵层

D

玻璃衬底层和输入/输出电路

E

硒层和高压电源


参考解析

解析:
探测器主要由导电层、电介层、硒层、顶层电极和集点矩阵层、玻璃衬底层、保护层以及高压电源和输入/输出电路所组成,其中硒层和集点矩阵层是主要结构。

相关考题:

关于DR探测器的类型,错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR

目前DR设备选用的探测器主要有 A、非晶硒B、非晶硅C、CCDD、CDE、TFT

DR使用的检测装置是A.影像板B.影像增强器C.平板探测器D.电离室SX DR使用的检测装置是A.影像板B.影像增强器C.平板探测器D.电离室E.光电管

DR结构包括()A、探测器B、影像处理器C、图像显示器D、成像板

关于CR、DR说法不正确的为()。A、均是将模拟量转换为数字量B、DR信噪比比CR高C、DR没有搬运IP的环节,减少故障诱发率D、DR探测器像素尺寸都比CR探测器像素尺寸大E、CR在价格上一般要比DR便宜

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

DR探测器可用的是()

DR成像设备类型包括()。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR

根据平板探测器的类型,数字化X线摄影系统(DR)分为哪几种?

DR使用的探测器装置是()A、影像板B、影像增强器C、平板探测器D、电离室E、光电管

根据探测器的不同DR可分为:()、()、()和()四种。

简述平板型探测器的主要结构及工作原理。

DR摄影和CR摄影相比,不同点为()A、都为数字化摄影B、CR摄影需要影像板C、都可以进行多种后处理D、DR不需要平板探测器E、CR辐射剂量低于传统X线摄影

关于DR的描述,正确的是( )A、DR图像与传统X线图像不同,分析的方法也不同B、部分传统X线摄影的部位不能用DR成像C、DR的探测器寿命短D、DR的密度分辨力高于普通X线片E、DR系统不能进行透视检查

填空题根据探测器的不同DR可分为:()、()、()和()四种。

判断题移动DR240和220平板探测器可以互换A对B错

问答题根据平板探测器的类型,数字化X线摄影系统(DR)分为哪几种?

单选题关于对DR的叙述,其错误的是()A硒探测器的MTF比CsI闪烁晶体探测器的MTF好B硒探测器的DQE比CsI闪烁晶体探测器的DQE好C小的像素尺寸可以获得更高的空间分辨力DDR的成像速度比CR快E探测器的噪声主要是探测器电子学噪声和X射线图像量子噪声

单选题岛津DR采用无线平板探测器品牌是()A岛津B奕瑞C佳能D富士

单选题DR使用的探测器装置是()A影像板B影像增强器C平板探测器D电离室E光电管

多选题DR成像设备类型包括()。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR

单选题DR探测器可用的是()ABaFBr:EuBNaSO·SHOCNaCODCHCOOHEa-Se

单选题目前最常用的DR系统为(  )。ACsI+CCD阵列B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D多丝正比电离室E计算机X线摄影

单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器

单选题属于DR成像间接转换方式的部件是()A增感屏B非晶硒平板探测器C多丝正比电离室D碘化色+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵探测器

多选题目前DR设备选用的探测器主要有()。A非晶硒B非晶硅CCCDDCDETFT

单选题关于CR、DR说法不正确的为()。A均是将模拟量转换为数字量BDR信噪比比CR高CDR没有搬运IP的环节,减少故障诱发率DDR探测器像素尺寸都比CR探测器像素尺寸大ECR在价格上一般要比DR便宜