漏磁场强度与下列（）有关。A、磁化的磁场强度与材料的导磁率B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸C、缺陷内部的介质D、A、B和C
漏磁场强度与下列（）有关。
- A、磁化的磁场强度与材料的导磁率
- B、缺陷埋藏的深度、方向和形状尺寸
- C、缺陷内部的介质
- D、A、B和C
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以下有关磁感应强度B和磁场强度H的叙述，错误的是（）A、磁场强度H只与电流有关，与介质无关B、磁场强度H与电流和介质均有关C、磁感应强度B只与H有关，与介质无关D、磁感应强度B只与电流有关，与介质无关
下列说法正确的有（）A、磁场内某点的磁场强度H与电流大小有关B、磁场内某点的磁场强度H与线圈匝数有关C、磁场内某点的磁场强度H与该点的几何位置有关D、磁场内某点的磁场强度与磁场媒质的磁性无关E、磁感应强度B与磁场媒质的磁性有关。
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
关于磁场强度和磁通密度的叙述，正确的是（）。A、磁场强度与磁导率有关，磁通密度与磁导率无关B、磁场强度与磁导率无关，磁通密度与磁导率有关C、磁场强度和磁通密度与磁导率都有关D、磁场强度和磁通密度与磁导率都无关
单选题下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D有缺陷的试件，才会产生漏磁场
判断题漏磁场强度的大小与试件内的磁感应强度大小有关。A对B错