1、在异质结双极型晶体管中,通常用()。A.窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区B.宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区C.窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区D.宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区

1、在异质结双极型晶体管中,通常用()。

A.窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区

B.宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区

C.窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区

D.宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区


参考答案和解析
宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区

相关考题:

双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。() 此题为判断题(对,错)。

在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:() A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT

绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。() 此题为判断题(对,错)。

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

绝缘栅双极型晶体管内部为()层结构。

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。

普通双极型晶体管是由()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成

常用的电子开关有()。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。

双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加()电压,在集电结加()电压。

GTR是一种()晶体管.A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型

双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制

单选题双极型晶体管有()A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结

多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有()A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT

填空题双极型晶体管可以作为放大晶体管,也可以作为()来使用,在电路中得到了大量的应用。

问答题简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。

多选题常用的电子开关有()。A继电器B双极型晶体管CMOS场效应晶体管D二极管

问答题为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能?

问答题四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用?

填空题在异质结双极晶体管中,发射区的禁带宽度()于基区的禁带宽度,从而使异质结双极晶体管的()大于同质结双极晶体管的。

判断题双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。A对B错

判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A对B错

填空题在放大模式偏置下,双极型晶体管的EB结(),CB结反向偏置。

问答题典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题?

问答题为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管(HBT)具有好的性能?