在高密度机箱中安装的CU少于4个时,所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”(端接)位置上。

在高密度机箱中安装的CU少于4个时,所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”(端接)位置上。


相关考题:

用于安装光驱的机箱部件是()。 A.电源槽B. 3.5吋安装槽C. 5.25吋安装槽D.机箱底板

如果Cu在钢液中含量为0.3%,实验测得在1540℃时,Cu溶于Fe中时K=53Pa,问真空度为2.67Pa时,钢液中的Cu能否蒸发?

用于安装台式机硬盘的机箱位置件是()。 A. 3.5吋安装槽B. 5.25吋安装槽C.机箱底板D.电源槽

关于高密度机箱中CU的安装,下面说法正确的是()A、“YES”标识此槽位安装了CU板,是对于有CU的槽位的端接位置B、“NO”标识此槽位是空的,是对于有CU的槽位的端接位置C、“YES”标识此槽位安装了CU板,是对于有CU的槽位的非端接位置D、“NO”标识此槽位是空的,是对于有CU的槽位的非端接位置

CU子卡安装完毕后,可以()A、设定IF测试口输入/输出跳接块B、连接CU接口和IFL电缆C、将CU板装入机箱

在II机箱中安装的CU少于4个时,所有未安装CU的槽都须将跳接块设在()A、“A”(端接)位置上B、“B”(非端接)位置上C、匹配负载上

安装施工升降机时,安装人员必须将钮盒和操作盒移至吊笼顶部操作。

有关Cu+离子的叙述不正确的是()A、Cu+氧化能力强于Cu2+,在酸性溶液中Cu+易歧化B、Cu+的配合物无未成对电子,都没有颜色C、2Cu+↔Cu+Cu2+,其平衡常数=106,所以Cu+的化合物在水溶液中很稳定。D、Cu+必须形成难溶物或配合物才能稳定存在

如果Cu在钢液中含量为0.3%,试验测得在1540℃时,Cu溶于Fe中时K=53Pa,若真空度为2.67Pa,问钢液中的Cu能否蒸发?

计算题:如果Cu在钢液中含量为0.3%,实验测得在1540℃时,Cu溶于Fe中时K=53Pa,问真空度为2.67Pa时,钢液中的Cu能否蒸发?

根据酸碱电子理论,在配位反应:Cu2++4NH3=[Cu(NH3)4]2+中,Cu2+应该属于()A、中心离子B、酸C、碱D、酸碱加和物

怎样在TES卫星二代机箱中安装CU板?

TES站是单独的机箱(II型机箱),应该如何设置该机箱的终端跳接块?如何进行TES机箱的开、关机和CU板的复位?

简述CU板选装子板(FIM或ICM)的安装过程?

安装CU子卡FIM和ICM时,按()方式安装在CU母板上。A、跳线B、插针C、背负

在机箱中安装CU之前,()A、必须设定所有的CU槽的槽位终端跳接块B、必须按照安装CU的个数来设定CU槽的槽位终端跳接块C、不用设置CU槽的槽位终端跳接块

下面对TES系统信道单元CU的安装描述有误的是()A、II型和III型信道单元均可安装在II型机箱或高密度机箱HDC中B、II型和III型信道单元可混合安装II型机箱中C、在安装CU前,必须设定所有CU槽的槽位终端跳接块D、信道单元CU在没有安装之前不用考虑防静电问题

TES系统II型和III型信道单元均可安装在II型机箱或高密度机箱HDC中。

II型信道单元()安装在高密度机箱中,III型信道单元()安装在II型机箱中。A、不可;可B、可;可C、可;不可D、不可;不可

安装CU子卡FIM和ICM时,按跳线方式安装在CU母板上。

在高密度机箱中安装的CU少于()个时,所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”(端接)位置上。A、15B、16C、8D、14

安装CU子卡之前应把ESD腕带与地相连。

在标准机箱中安装的CU少于()个时,所有未安装CU的槽都须将跳接块设在A(端接)位置上。A、5B、6C、8D、4

TES卫星通信系统远端站中II型和III型CU板配高密度机箱或()机箱。A、I型B、II型C、I型和II型D、以上都可以

关于TES远端站室内设备的安装,以下说法有误的是()A、安装顺序为:机箱、机架、CU板B、机架安装完毕并检查通过后,可以安装机箱C、I/II型机架与高密度HDC的安装除电源部分之外其他基本相同

单选题下列说法中,正确的是(  )。A硬盘的容量远大于内存的容量B硬盘的盘片是可以随时更换的CU盘的容量远大于硬盘的容量D硬盘安装在机箱内,它是主机的组成部分

问答题怎样在TES卫星二代机箱中安装CU板?