在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出A、可见光B、电子空穴对C、荧光D、正电子E、低能X射线
P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子
X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出A.荧光B.可见光C.低能x射线D.正电子E.电子空穴对
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
半导体中的载流子（）。A、只有电子B、只有空穴C、只有价电子D、自由电子和空穴
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
半导体中的载流子为（）。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。A、电子B、空穴C、质子D、光子
在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对
单选题N型半导体（）A自由电子和空穴的浓度相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定
单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。AP区；BN区；C结区；D中间区。
单选题X线照射到直接FPD上时，X线光子使非晶硒激发出（）A可见光B电子空穴对C荧光D正电子E低能x射线
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子
单选题本征半导体载流子（）A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等