在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流
P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子
N型半导体中，电子数目少于空穴数目，其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定。
在半导体、气体或真空中，利用电子或空穴的最小物理实体是（）.
电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
半导体中的载流子（）。A、只有电子B、只有空穴C、只有价电子D、自由电子和空穴
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
电子真空理论中的负能空穴（）。A、 带负电B、 带正电C、 质量为正，等于电子质量D、 质量为负，为电子质量的负值
“负能空穴”的电荷状态如何？（）A、正电B、负点C、不带电D、以上都不对
空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反
在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
下列说法错误的有（）。A、PIN吸收一个光子只产生一个电子B、APD能产生二次电子-空穴对C、APD吸收一个光子只产生一个电子D、APD和PIN都是加负偏压
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
半导体中的载流子为（）。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴
当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对
半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
单选题“负能空穴”的电荷状态如何？（）A正电B负点C不带电D以上都不对
单选题空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A相同B相反C有时相同D有时相反
多选题电子真空理论中的负能空穴（）。A带负电B带正电C质量为正，等于电子质量D质量为负，为电子质量的负值
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
填空题在半导体、气体或真空中，利用电子或空穴的最小物理实体是（）.
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子