集成运放制造工艺使得同类半导体管的指标参数准确。() 此题为判断题(对，错)。
集成运放是利用集成电路工艺制成的高放大倍数的直接耦合放大器。() 此题为判断题(对，错)。
下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。 A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
具有压电谐振现象的元器件是（）。A、晶体管B、场效管C、集成运放D、石英晶体
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
集成运放常见的故障现象有（）。A、集成运放过热B、不能调零C、工作时产生自激振荡D、集成运放组件突然损坏
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。A、指标参数准确B、参数不受温度影响C、参数一致性好D、无明显区别
集成运放是个高增益的（），由于晶体管的（）和（）等的影响，容易引起高频自激振荡。
集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。A、指标参数准确B、参数不受温度影响C、参数一致性好D、以上都不对
集成运放常见的故障现象有（）。A、集成运放过热B、不能调零C、工作时产生自激振荡D、集成运放组件突然损坏E、集成运放噪声大
为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用（）放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应（）。
集成运放的理想化条件是（）、（）、（）和（）。理想集成运放的两个特性是（）和（）。
理想集成运放的条件是（）、（）、（）、（）和（）。
为了抑制漂移，集成运放的输入级一般是差动放大电路，因此对于由双极型三极管构成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应（）A、较大B、对称C、较小
集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。A、指标参数准确B、参数不受温度影响C、参数一直性好
集成运放是利用集成电路工艺制成的高放大倍数的直接耦合放大器。（）
由集成运放构成的运算电路具有从集成运放的输出端到其反相输入端存在反馈通路的特征。
集成运放内部常用（）。A、有源器件（晶体管或场效应管）B、电容C、电感D、大电阻
从工作性能看，晶闸管属于（）的一种.A、二极管B、三极管C、场效应管D、集成运放
集成运放线性应用是指运放工作在其特性的线性区，集成运放内部的三极管都工作在（），集成运放的输入输出信号呈线性关系。
填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。