产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A2倍B3倍C5倍
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
高压硅整流变压器的特点是（）A输出直流高电压；B输出电流大；C输出电压低；D回路阻抗电压比较低。
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
直流耐压试验电压为50000伏，要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于（）。A、50000伏B、25000伏C、100000伏D、200000伏
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
降压硅堆开路时，发“直流电压过低”信号，控制母线电压消失，在确认硅堆开路后，可立即通过调节硅堆把手短接硅堆，恢复控制母线电压，然后调整充电装置（），降低（）。
硅整流堆串联运用时，应采取均压措施。如果没有采取均压措施，则应降低硅整流堆的使用电压（）。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A、2倍B、3倍C、5倍
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。A、2.83倍；B、2倍；C、1倍；D、1.414倍。
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
直流高电压试验，在利用硅堆整流时当单个的电压不够，需要采取多只串联的办法时，采用并联均压电阻，其数值一般为硅堆反向电阻的（）。如按此值所选的电阻值过高而不易达到时，可适当减小为1000MΩ。A、1/2～1/3B、1/3～1/4C、1/3～1/5D、1/2～1/4
直流高电压试验，为了限制试品放电时的放电电流，保护（）等，高压侧接取了保护电阻器。A、硅堆B、微安表C、试验变压器D、试品
直流高电压试验，高压硅堆上的反峰电压使用值（）硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A、不能超过B、不能小于C、应等于D、小于
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。A、额定负荷电流B、额定反峰电压C、额定开断电流D、额定工作电压
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A对B错
单选题高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A2倍B3倍C5倍
单选题在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）A2.83倍B2倍C1倍D1.414倍
多选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有（）A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压
判断题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错