产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A2倍B3倍C5倍
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
造成一次电压、一次电流正常，二次电压正常，二次电流为零的故障原因是（）A高压硅整流变压器二次电流表测量回路短路B高压硅整流变压器二次开路C高压硅整流变压器内高压硅堆击穿D高压硅整流变压器高压线圈局部短路
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
直流耐压试验电压为50000伏，要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于（）。A、50000伏B、25000伏C、100000伏D、200000伏
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
两支ZDL＝100高压硅堆串联使用时，如果不做任何均压措施，则其使用电压应为硅堆额定电压之和的70～80%。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A、2倍B、3倍C、5倍
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。A、2.83倍；B、2倍；C、1倍；D、1.414倍。
型号为2DL-150／0.2的高压硅堆，容许使用电流为200mA，额定反峰电压为150kV，其使用最高电压不应超过（）kV。A、75；B、150；C、60；D、50。
直流高电压试验，高压硅堆上的反峰电压使用值（）硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A、不能超过B、不能小于C、应等于D、小于
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。A、额定负荷电流B、额定反峰电压C、额定开断电流D、额定工作电压
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A对B错
单选题高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。A2倍B3倍C5倍
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
多选题产生高压的半波整流电路由（）构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R
单选题在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）A2.83倍B2倍C1倍D1.414倍
多选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有（）A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压
判断题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错