反映CMOS门电路扩展能力的参数有()。A、高电平输出电压B、低电平输出电压C、扇入系数D、动态功耗

反映CMOS门电路扩展能力的参数有()。

  • A、高电平输出电压
  • B、低电平输出电压
  • C、扇入系数
  • D、动态功耗

相关考题:

CMOS门电路具有功耗小的特点。() 此题为判断题(对,错)。

CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。() 此题为判断题(对,错)。

CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?

用三极管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

CC4000系列CMOS集成门电路的电源电压可以取()A、3~5VB、3~18VC、12~14VD、需查手册因为不同的门电路有不同的电压

CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。

CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。

简述CMOS门电路的操作规则。

在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

CMOS门电路输入端不能悬空,否则容易击穿损坏。

CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。

CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路()。

TTL 逻辑门电路不可以直连74HC系列的CMOS负载。

TTL门电路和CMOS门电路的转折电压分别为()V和()V。

CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。

TTL逻辑门电路的高电平、低电平与CMOS逻辑门电路的高、低电平值是一样的。

CMOS逻辑门电路可以直连TTL负载。

TTL逻辑门电路可以直连74HCT系列的CMOS负载。

CMOS逻辑与门电路,多余的输入端可以悬空。

下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

用场效应管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

标准的CMOS门电路的工作电源电压一般为()伏。

CMOS逻辑门电路输入端无电流流过。

反映CMOS门电路速度特性的参数有()。A、扇出系数B、扇入系数C、平均延时时间D、功耗

CMOS逻辑门电路中O表示开路(Open)。

CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。