TTL门电路和CMOS门电路的转折电压分别为()V和()V。

TTL门电路和CMOS门电路的转折电压分别为()V和()V。


相关考题:

CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大

CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。() 此题为判断题(对,错)。

下列各类门电路中,可以将输出端直接并联实现“线与”逻辑的门电路是(23)。A.三态输出的门电路B.集电极开路输出的TTL门电路C.互补输出结构的CMOS门电路D.推拉式输出结构的TTL门电路

下列各种电路中哪些输出端可以直接连接使用()。 A、具有推拉式输出端的TTL门电路B、TTL电路中OC逻辑门C、具有推拉式输出端的CMOS门电路D、CMOS电路中开漏输出的逻辑门

用三极管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。

TTL与非门电路的标准输入低电平()V。A、0.1B、0.2C、0.3D、0.4

下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

TTL与非门电路参数中的扇出电压No,是指该门电路能驱动同类门电路的数量。

74系列TTL集成门电路的输出高电瓶电压约为()。A、5VB、3.4VC、0.3VD、0V

集电极开路输出的TTL门电路需要()电阻,接在输出端和+5V电源之间。A、集电极B、基极C、发射极D、栅极

CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。

CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路()。

TTL 逻辑门电路不可以直连74HC系列的CMOS负载。

TTL逻辑门电路的高电平、低电平与CMOS逻辑门电路的高、低电平值是一样的。

TTL集成门电路的电源电压为()V。A、3B、5C、12D、24

CMOS逻辑门电路可以直连TTL负载。

TTL逻辑门电路可以直连74HCT系列的CMOS负载。

下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

用场效应管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

按照电路的不同结构,门电路可以分为()与()。A、分立元件门电路,TTL门电路B、集成门电路和双极型电路C、分立元件门电路,集成门电路D、TTL门电路,集成门电路

TTL与非门电路参数中的扇出数NO.表示该门电路能输出电压的高低。

CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。

TTL集成门电路的电源电压为()A、3VB、5VC、12VD、18V

多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

单选题在逻辑功能上,CMOS门电路和TTL电路是相同的,当CMOS的电源电压UDD为()时,它可与低功耗的TTL电路直接兼容。A18VB5VC12VD32V