若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体
下列各项中,( )是本征半导体。 A、N型半导体;B、P型半导体;C、PN结D、纯净的半导体。
()结具有单向导电能力,将P型半导体连电池()极,n型半导体连电池()极,电流能通过()结流通。
F-P腔激光器从结构上划分，可分为()。A.同质结半导体激光器B.单异质结半导体激光器C.双异质结半导体激光器D.双质结半导体激光器
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A4B3C2D1
在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体
（）结具有单向导电能力，将n型半导体连电池（）极，p型半导体连电池（）极，电流不能通过（）结流通。
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
1N4007中的“1”表示含义为（）的数量。A、PN结B、P型半导体C、N型半导体D、管子封装材料
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的（）区，电源的负极通过电阻接半导体的（）区。
日前采用的LD的结构种类属于（）A、F-P腔激光器（法布里—珀罗谐振腔）B、单异质结半导体激光器C、同质结半导体激光器D、双异质结半导体激光器
目前光纤通信系统采用的LD的结构种类属于（）。A、F-P腔激光器（法布里—珀罗谐振腔）B、单异质结半导体激光器C、同质结半导体激光器D、双异质结半导体激光器
在本征半导体中掺入少量的3价元素就成为（）。A、P型半导体B、N型半导体C、PN结D、纯净半导体
N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（）。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结
单选题若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。APNP型半导体／NPN型半导体BN型半导体／P型半导体CPN结／PN结DP型半导体／N型半导体
单选题在本征半导体中掺入5价元素就成为（）型半导体。AP型半导体BN型半导体CPN结D纯净半导体
单选题参杂硼元素的半导体是（）.Ap型半导体B本征半导体CN型半导体Dpn结
填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
单选题下列说法正确的是（）。AN型半导体带负电BP型半导体带正电CPN结型半导体为电中性体DPN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生