下列各项中,( )是本征半导体。 A、N型半导体;B、P型半导体;C、PN结D、纯净的半导体。
下列各项中,( )是本征半导体。
A、N型半导体;
B、P型半导体;
C、PN结
D、纯净的半导体。
相关考题：
1、关于本征半导体，下列描述错误的是（）A．本征半导体受到热激发，会产生自由电子；B．本征半导体中，电子和空穴总是成对产生；C．温度越高，本征半导体中电子和空穴浓度越高；D．本征半导体中的电子和空穴浓度不受外界环境影响。
2、关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？A．本征半导体的载流子浓度来源于本征激发B．本征半导体，电子浓度等于空穴浓度C．本征半导体的载流子浓度与温度无关D．一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
1、下面关于本征半导体的叙述有误的一项是：A．本征半导体中电子浓度与空穴浓度相等。B．本征半导体中费米能级均处于禁带中线附近。C．本征半导体中杂质电离对载流子浓度的影响几乎可以忽略。D．在温度较高进入本征激发区后，半导体材料可以看作本征半导体。
2、关于杂质半导体，下列描述正确的是（）A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
N型半导体是在本征半导体中掺杂了 价元素。