介损tgδ不能发现的缺陷有()。A、整体受潮B、劣化C、大体积绝缘的集中性缺陷D、小体积绝缘的集中性缺陷

介损tgδ不能发现的缺陷有()。

  • A、整体受潮
  • B、劣化
  • C、大体积绝缘的集中性缺陷
  • D、小体积绝缘的集中性缺陷

相关考题:

击穿强度高、介损tgδ小的绝缘油,体积绝缘电阻也一定小。( )

当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定,则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。

测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器,其主绝缘介损tgδ值为0.33%;末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%,以下几种诊断意见,其中()哪项是错误的。A、主绝缘良好,可以继续运行B、暂停运行,进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格

一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备的整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。

当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

绝缘体有缺陷时,其介损tgδ将随试验()升高而变()。

分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn,则并联在一起测得的介损值为这些值中的()。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间

在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

对大型变压器测量绝缘的tgδ%,能发现整个绝缘普遍劣化的缺陷,但不能发现局部缺陷或个别弱点。

测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。

在一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。

采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压,X端和底座接地,二、三次短路后,引入介损仪,采用正接线。

用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。A、大B、相等C、小D、以上均不是

用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。

通常把绝缘电阻、泄漏电流、介损tgδ、油的化学性能等的试验叫作绝缘的予防性试验,试说明这些试验项目可以发现的绝缘缺陷的类型。

在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%,绝缘电阻10000MΩ,末屏对地绝缘电阻为60MΩ,介损tgδ值16.3%,是否可以继续运行()。A、可以,主绝缘良好B、不可以,已进水受潮C、观察一段时间

在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。

测量串级式电压互感器介损tgδ的接线方法,有哪几种?

用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

测量一台110kV电力变压器,高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ,当tgδ不合格时,一般表明其高压套管tgδ不合格。

填空题在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

判断题在一般情况下,介损tgδ试验主要反映设备绝缘整体缺陷,而对局部缺陷反映不灵敏。A对B错