66kV变压器被测绕组的tgδ值换算至20°时,不应大于()。

66kV变压器被测绕组的tgδ值换算至20°时,不应大于()。


相关考题:

当变压器绕组扫频响应曲线与原始记录基本一致时,即绕组频响曲线的各个波峰、波谷点所对应的幅值及频率基本一致时,可以判定被测绕组有变形。( )

如果忽略变压器的内部损耗,则以下说法正确的有( )A、变压器二次绕组的输出功率等于一次绕组输入功率;B、变压器二次绕组的输出功率大于一次绕组输入功率;C、变压器一次测电压有效值等于一次测感应电势有效值;D、变压器二次测电压有效值等于二次测感应电势有效值.

测量变压器绕组连同套管的介质损耗角正切值tanδ,测试时记录好试验时的环境温度,换算至出厂相同温度比较时,其值不应大于产品出厂值的()倍。A、1.2B、1.3C、1.4D、1.5

变压器交接试验时,被测绕组的tanδ值不宜大于产品出厂试验值的()%。A、110B、120C、130D、140

35kV变压器出厂验收时,应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、18B、20C、22D、25

当绕组频响曲线的各个()所对应的幅值及频率基本一致时,可以判定被测变压器绕组没有变形。A、波形B、波峰点C、波谷点D、初相角

变压器绕组的tanδ值与历年的数值比较不应有显著变化()A、一般不大于10%B、一般不大于20%C、一般不大于30%D、一般不大于50%

变压器的tgδ值与历年的数值比较不应有显著变化(一般不大于()%)。A、10B、20C、30D、40

变压器在20℃时tgδ不大于下列数值:35~66kV()%。A、0.8B、1C、1.5D、1.8

电流互感器预试时被测绕组的tgδ值不应大于()。

测量变压器绕组绝缘电阻时,被测绕组各引线端应短路,其余各被试绕组都应开路。

110(66)kV-220kV变压器出厂验收时,应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、18B、20C、22D、25

220kV变压器被测绕组的tanδ值不应大于产品出厂试验值的()。

变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、10B、15C、20D、25

电力变压器、电抗器绕组绝缘介质损耗因数测量,必要时分别测量()的绝缘介质损耗因数。A、被测绕组本体B、被测绕组对地C、被测绕组对其它绕组D、相邻绕组

变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。A、对地绝缘B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。A、对地绝缘;B、短接;C、开路;D、短接后接地或屏蔽。

电压互感器预试时被测绕组的tgδ值不应大于()。

绕组tgδ与原始值比较()可能是缺陷的反映,同一变压器各绕组tgδ应基本一致。A、变大B、变大或变小都C、变小

测量10KV油浸变压器tgδ值时,非被试绕组应该()。A、接入测量回路B、短接C、开路D、短接后接地或屏蔽

测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()。

新装电力变压器在交接验收时,所测得的介质损tgδ值应不大于出厂试验值的130%(换算到同一温度下)。

变压器绕组的介质损耗因数tgδ(20℃)与历年数值相比一般不大于()%变化。A、10B、20C、30D、40

填空题220kV变压器被测绕组的tanδ值不应大于产品出厂试验值的()。

单选题变压器的tgδ值与历年的数值比较不应有显著变化(一般不大于()%)。A10B20C30D40

单选题变压器在20℃时tgδ不大于下列数值:35~66kV()%。A0.8B1C1.5D1.8

单选题测量变压器绕组绝缘的tgδ时,非被试绕组应()A对地绝缘B短接C开路D短接后接地或屏蔽