变压器绕组的tanδ值与历年的数值比较不应有显著变化（）A、一般不大于10%B、一般不大于20%C、一般不大于30%D、一般不大于50%

变压器绕组的tanδ值与历年的数值比较不应有显著变化（）

  • A、一般不大于10%
  • B、一般不大于20%
  • C、一般不大于30%
  • D、一般不大于50%

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CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。此题为判断题(对，错)。
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变压器测试绕组绝缘电阻与前一次同温度比较应无明显变化( )
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测量变压器绕组连同套管一起的直流电阻，与同温下产品出厂实测数值比较，相应变化（）。A.不应大于2%B.不应大于3%C.不应大于5%D.不应大于6%
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铁心接地电流检测结果符合要求的是（）。(A)1000kV变压器：小于等于300mA（注意值） (B)其他变压器：小于等于100mA（注意值） (C)与历史数值比较无较大变化 (D)1000kV变压器：小于等于100mA（注意值）
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铁心接地电流检测结果应符合以下要求（）。(A)1000kV变压器：≤300mA（注意值） (B)其他变压器：≤100mA（注意值） (C)与历史数值比较无较大变化 (D)与历史数值变化范围在10%以内
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铁心接地电流检测结果应符合以下要求（）。1000kV变压器：≤300mA（注意值）$;$其他变压器：≤100mA（注意值）$;$与历史数值比较无较大变化$;$与历史数值变化范围在10%以内
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对于分裂变压器，通常制造厂提供的半穿越电抗是指（）。A.高压绕组与总的低压绕组间的穿越电抗，并以分裂变压器二次绕组容量为基准的数值；B.高压绕组与总的低压绕组间的穿越电抗，并以分裂变压器一次绕组容量为基准的数值；C.高压绕组与一个低压绕组间的穿越电抗，并以分裂变压器二次绕组容量为基准的数值；D.髙压绕组与一个低压绕组间的穿越电抗，并以分裂变压器一次绕组容量为基准的数值。
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测量变压器绕组连同套管的介质损耗角正切值tanδ，测试时记录好试验时的环境温度，换算至出厂相同温度比较时，其值不应大于产品出厂值的（）倍。A、1.2B、1.3C、1.4D、1.5
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CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。
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变压器交接试验时，被测绕组的tanδ值不宜大于产品出厂试验值的（）%。A、110B、120C、130D、140
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500kV变压器绕组连同套管的tanδ值，在20℃时测得tanδ值为（）合格。A、0.6%B、0.1%C、1.5%D、0.8%
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变压器套管的电容值，测量结果同出厂值或历史数据比较不应有显著变化，一般而言，变化量不应大于（）。A、1%B、3%C、5%D、10%
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500kV变压器绕组连同套管的tanδ值，在20℃时测得tanδ值为0.8%合格。
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一般认为，电力变压器绕组tanδ测试时的温度以10~40℃为宜。
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变压器的tgδ值与历年的数值比较不应有显著变化（一般不大于（）％）。A、10B、20C、30D、40
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110kV～220kV变压器绕组连同套管的tanδ值，在20℃时测得tanδ值为1.5%合格。
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测量电力变压器绕组连同套管的直流电阻，与同温下产品出厂实测数值比较，相应变化不应大于（）。
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220kV变压器被测绕组的tanδ值不应大于产品出厂试验值的（）。
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变压器交接试验时，绕组连同套管的直流电阻测量与出厂实测值比较，变化不应大于（）%。A、1B、2C、3D、4
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500kV电抗器绕组连同套管的tanδ值，在20℃时测得tanδ值不大于（）。A、0.4%B、0.5%C、0.6%D、0.8%
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测得220kV变压器绕组连同套管，在温度4℃，相对湿度85%时的tanδ值为0.8%合格。
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110kV～220kV变压器绕组连同套管的tanδ值在20℃时（）合格。A、0.2%B、0.5%C、0.4%D、0.8%
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35kV变压器绕组连同套管的tanδ值，在20℃时测得tanδ值为1.5%不合格。
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变压器绕组的介质损耗因数tgδ（20℃）与历年数值相比一般不大于（）%变化。A、10B、20C、30D、40
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填空题220kV变压器被测绕组的tanδ值不应大于产品出厂试验值的（）。
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单选题变压器的tgδ值与历年的数值比较不应有显著变化（一般不大于（）％）。A10B20C30D40
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填空题测量电力变压器绕组连同套管的直流电阻，与同温下产品出厂实测数值比较，相应变化不应大于（）。
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