用万用表尺×100Q挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
当晶体管的UCE一定时,基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为()曲线;当基极电流IB一定时,集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为()曲线。
晶体三极管工作在放大状态的条件是（ ）。A.发射极反偏，集电极正偏B.发射极反偏，集电极反偏C.发射极正偏，集电极正偏D.发射极正偏，集电极反偏
若使三极管处于放大状态，要求（）A、发射结反偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极正偏，集电极正偏D、发射极反偏，集电极反偏
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏D、集电极反偏，发射极反偏
在晶体管内基片上有一个裂缝，可以导致集电极到发射极开路，在这里（）A、“集电极到发射极开路”是故障原因（机理）B、“集电极到发射极开路”是故障模式C、“晶体管内基片上有裂缝”是故障原因（机理）D、“晶体管内基片上有裂缝”是故障模式
晶体管用（）挡测量基极和集电极、发射极之间的正向电阻值A、R×10KΩB、R×1KΩC、R×100ΩD、R×10Ω
晶体管集电极的信号极性与基极相反;发射极的信号与基极相同。
为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极正偏，集电极零偏D、发射极反偏，集电极正偏
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏
在三极管放大电路工作状态为饱和，则（）。A、发射极、集电极都反偏B、发射极、集电极都正偏C、发射极反偏，集电极正偏D、发射极正偏，集电极反偏
当基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时产生的集电极电流叫穿透电流。
NPN三极管放大导通必须满足这样的条件，即（）。A、发射极加正向电压，集电极加反向电压B、发射极加反向电压，集电极加正向电压C、基极加反向电压，集电极加正向电压D、基极加正向电压，集电极加反向电压
NPN型光敏三极管在应用电路中，应接成（）形式A、集电极正偏，发射极反偏B、集电极正偏，发射极正偏C、集电极反偏，发射极正偏D、集电极反偏，发射极反偏
晶体管共集电极放大电路的信号是从（）A、基极输入，集电极输出B、基极输入，发射极输出C、发射极输入，集电极输出D、集电极输入，发射极输出
三极管工作在放大状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
三极管工作在饱和状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
半导体三极管起放大作用时，必须（）A、发射极与集电极都加正向电压；B、发射极与集电极都加反向电压；C、发射极加正向电压，集电极加反向电压；D、发射极加反向电压，集电极加正向电压；
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。A、朝基极侧移动B、朝集电极侧移动C、不动D、在发射极处无序运动
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。A、朝集电极侧移动B、朝发射极侧移动C、不动D、在基极处无序运动
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
为了保证三极管处于放大状态，则电源极性应（）。A、发射极正偏，集电极正偏；B、发射极反偏，集电极反偏；C、发射极正偏，集电极反偏；D、发射极反偏，集电极正偏。
用万用表R³100Ω挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被击穿B、两个PN结都被烧坏C、只有发射极被击穿D、只有发射极被烧坏
单选题若使三极管处于放大状态，要求（）A发射结反偏，集电极正偏B发射极正偏，集电极反偏C发射极正偏，集电极正偏D发射极反偏，集电极反偏
单选题晶体三极管处于放大状态时（）。A集电极正偏，发射极正偏B集电极反偏，发射极正偏C集电极正偏，发射极反偏
单选题为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A发射极正偏，集电极正偏B发射极正偏，集电极反偏C发射极正偏，集电极零偏D发射极反偏，集电极正偏