若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。 A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
三极管放大的外部件:发射结()、集电结()。 A、正偏，正偏B、正偏，反偏C、反偏，正偏D、反偏，反偏
晶体三极管工作在放大状态的条件是（ ）。A.发射极反偏，集电极正偏B.发射极反偏，集电极反偏C.发射极正偏，集电极正偏D.发射极正偏，集电极反偏
无论是采用哪一种连接方式，也无论是采用NPN型管还是PNP型管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A、发射极正偏、集电极反偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射极正偏、集电极反偏D、发射结反偏、集电结正偏
三极管放大的外部条件是（）。A、发射极正偏，集电极反偏B、发射极反偏，集电极正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏D、集电极反偏，发射极反偏
要使三极管具有放大作用，都必须保证（）A、岁发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射极正偏、集电极反偏D、集电极反偏、集电极正偏
若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流要增大D、集电极电流不变
在NPN型晶体三极管放大电路中，基极与发射极短路，则晶体管（）A、深度饱和B、将截止C、集电极正偏D、发射结反偏
晶体三极管处于放大状态的条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏
为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极正偏，集电极零偏D、发射极反偏，集电极正偏
晶体三极管处于放大状态时（）。A、集电极正偏，发射极正偏B、集电极反偏，发射极正偏C、集电极正偏，发射极反偏
在三极管放大电路工作状态为饱和，则（）。A、发射极、集电极都反偏B、发射极、集电极都正偏C、发射极反偏，集电极正偏D、发射极正偏，集电极反偏
处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏；C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。
对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
NPN型光敏三极管在应用电路中，应接成（）形式A、集电极正偏，发射极反偏B、集电极正偏，发射极正偏C、集电极反偏，发射极正偏D、集电极反偏，发射极反偏
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管工作在放大状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
三极管工作在饱和状态的条件是（）。A、发射极正偏，集电极正偏B、发射极正偏，集电极反偏C、发射极反偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
为了保证三极管处于放大状态，则电源极性应（）。A、发射极正偏，集电极正偏；B、发射极反偏，集电极反偏；C、发射极正偏，集电极反偏；D、发射极反偏，集电极正偏。
当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为（）A、反偏、反偏B、反偏、正偏C、正偏、反偏D、正偏、正偏
单选题三极管放大的外部条件是（）。A发射极正偏，集电极反偏B发射极反偏，集电极正偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏
单选题若使三极管处于放大状态，要求（）A发射结反偏，集电极正偏B发射极正偏，集电极反偏C发射极正偏，集电极正偏D发射极反偏，集电极反偏
单选题晶体三极管处于放大状态时（）。A集电极正偏，发射极正偏B集电极反偏，发射极正偏C集电极正偏，发射极反偏
单选题为了使PNP型晶体三极管工作于饱和区，必须保证（）。A发射极正偏，集电极正偏B发射极正偏，集电极反偏C发射极正偏，集电极零偏D发射极反偏，集电极正偏