晶体中吸藏的杂质和晶格中的有机溶剂可以通过()的方式除去。

晶体中吸藏的杂质和晶格中的有机溶剂可以通过()的方式除去。


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单体为什么要精馏()。 A、除去单体中乙炔、高沸物等杂质B、除去单体中氯乙烯、高沸物等杂质C、除去单体中氯乙炔、高沸物等杂质D、除去单体中甲烷、高沸物等杂质

磷光和荧光与矿物晶格中的微量杂质有关。

如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,就可能形成()。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶

陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

陈化可增大晶体颗粒,并能除去被吸留的杂质。

外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子,杂质原子既可以进入间隙位,也可以取代原有原子进入正常结点位置。

下列各种说法中哪个不正确?()A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

金属的晶体有正方晶格、六方晶格和()。

晶格中的结点代表原子在晶体中的平衡位置。

从晶格中取出一个能完全代表晶格特征的最基本的几何单元叫做()。A、晶胞B、晶格C、晶体D、晶核

过滤处理的作用就是通过适当的滤层较为彻底地除去水中的()杂质和()杂质。

如何除去液体化合物中的有色杂质?如何除去固体化合物中的有色杂质?除去固体化合物中的有色杂质时应注意什么?

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

氧化钙晶体中晶格结点上的粒子为()和();粒子间作用力为(),晶体类型为()。

下列说法不正确的是()。A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B

单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A增加缺陷浓度B使晶格发生畸变C降低缺陷浓度DA和B

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

单选题下列除去杂质的方法错误的是(  ).AH2中含有少量H2S,通过NaOH溶液除去BCH4中含有少量CO2,通过Ca(OH)2溶液除去CCO2中含有少量SO2,通过饱和NaHCO3除去DCl2中含有少量HCl,通过NaOH溶液除去

填空题在金属晶体中通过原子中心的平面称为(),通过原子中心的直线,可代表晶格空间的一定方向,称为晶向。

填空题晶体中的晶格类型可以分为()、()、()和()等四种。

填空题晶体中吸藏的杂质和晶格中的有机溶剂可以通过()的方式除去。

单选题下列各种说法中哪个不正确?()A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

问答题如何除去液体化合物中的有色杂质?如何除去固体化合物中的有色杂质?除去固体化合物中的有色杂质时应注意什么?

填空题杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。

填空题重结晶提纯时,难溶的杂质在()步骤中除去;可溶性杂质在()步骤中除去。

单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质,这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为()A取代原子B空位原子C杂质原子D填隙原子