在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的
半导体中空穴电流是由（）。A、自由电子填补空穴所形成的B、价电子填补空穴所形成的C、自由电子定向运动所形成的D、价电子的定向运动所形成的
半导体中空穴电流是由（）所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反
半导体中的载流子为（）。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴
金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴
N沟道结型场效应管中的载流子是（）A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子
在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对
P型半导体中的多数载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子
半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
半导体导电的主要特点是（）。A、自由电子导电；B、空穴导电；C、自由电子和空穴同时导电；D、离子导电。
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴所形成的；B、自由电子填补空穴所形成的；C、空穴填补自由电子所形成的；D、自由电子定向运动所形成的。
电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
单选题D沟道型场效应管中的载流子是（）A自由电子B空穴C电子和空穴D带电离子
单选题空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A相同B相反C有时相同D有时相反
单选题金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A自由电子B正、负离子C空穴载流子D自由电子和空穴
单选题重空穴指的是（）。A质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A空穴／自由电子B自由电子／空穴C空穴／共价键电子D负离子／正离子
判断题一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的，空穴体积相当于熔融时体积膨胀量，空穴的分布是均匀的。A对B错