在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的
电子导电和夺穴导电有什么区别？空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？
半导体中空穴电流是由（）所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
一般认为空穴是在作为谐振子的球状的阴阳离子间形成的，空穴体积相当于熔融时体积膨胀量，空穴的分布是均匀的。
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴所形成的；B、自由电子填补空穴所形成的；C、空穴填补自由电子所形成的；D、自由电子定向运动所形成的。
单选题重空穴指的是（）。A质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
问答题电子导电和夺穴导电有什么区别？空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子