对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化

对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）

  • A、突触前轴突末梢超极化
  • B、对Ca2+、K+通透性增大
  • C、突触后膜出现超极化
  • D、突触后膜去极化
  • E、突触前膜去极化

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请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是
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下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位
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膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
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可产生抑制性突触后电位的离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．H+
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对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．对Ca2+、K+通透性增大C．突触后膜出现超极化D．突触后膜去极化E．突触前膜去极化
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产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+
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产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
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A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。A.B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。
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试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化
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对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化
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单选题下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）A是局部去极化电位B具有全或无性质C是局部超极化电位D由突触前膜递质释放量减少所致E是局部去极化电位
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多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
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单选题对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）A突触前轴突末梢超极化B对Ca2+、K+通透性增大C突触后膜出现超极化D突触后膜去极化E突触前膜去极化
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单选题关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。A突触前轴突末梢超极化B对Ca2+、K+通透性增大C突触后膜出现超极化D突触后膜去极化E突触后膜出现复极化
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单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（　　）。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成
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单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）AK+BH+CCa2+DCl-ENa+
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问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
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