集成电路的功耗分为：（）、（）

集成电路的功耗分为：（）、（）

相关考题：

CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。 A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽
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集成电路可分为膜集成电路,半导体集成电路或混合集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
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集成电路是计算机的核心。它的特点是体积小,重量轻,可靠性高,但功耗很大。() 此题为判断题(对，错)。
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集成电路制造技术是嵌入式系统发展的重要基础，下面关于集成电路技术发展的叙述中，错误的是：（）。A.单块集成电路的集成度平均每18～24个月翻一番B.集成电路的工作频率越来越高，功耗越来越低C.当前集成电路批量生产的主流技术已经达到45nm、32nm甚至更小的工艺水平D.集成电路批量生产使用的晶圆直径已经达到12～14英寸甚至更大
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集成电路74LS系列表示（）。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路
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国外由德科萨斯（Texas）生产的74系列的集成电路命名为74LS×××型号，其中的LS代表（）的器件。A、一般用途B、低功耗C、军用D、TTL
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按集成电路所处理的信号的性质或处理方式的不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。（）
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按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
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集成电路按照功能可分为（）。A、模拟集成电路B、数字集成电路C、半导体集成电路D、双极型集成电路
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集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
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下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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集成电路的设计的趋势有（）A、低功耗B、大功能C、高精度D、小封装
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下列哪项不是集成电路的主要特征（）A、大型化B、微小型化C、低功耗D、智能化
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目前按键电话机中使用的集成电路可分为三类：（）集成电路，（）集成电路，（）集成电路。
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COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
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CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽
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与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确
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TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。
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单选题集成电路74LS系列表示（）。A高速肖特基TTL电路B低功耗肖特基TTL电路C低速肖特基TTL电路D高低功耗肖特基TTL电路
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单选题74系列TTL数字逻辑电路系国际上通用的标准电路。其中74LS××表示为（）集成电路。A标准B肖特基C低功耗肖特基D高速
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填空题一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。
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填空题集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。
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单选题集成电路的设计的趋势有（）A低功耗B大功能C高精度D小封装
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多选题集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。A漏电流增大导致总功耗增加B栅极氧化膜厚度接近物理极限C电路规模增大导致动态功耗增加D配线延迟不能相应降低从而影响性能
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多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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判断题集成电路的优点：体积小、重量轻；功耗小、成本低；速度快、可靠性高。A对B错
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判断题集成电路的优点：体积大、重量重；功耗小、成本高；速度快、可靠性低。A对B错
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