晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。
晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
晶体管电路图如下,已知各晶体管的β=50,那么晶体管处于放大工作状态的电路是( )。
晶体管电流放大作用的实质是什么?为什么晶体管具有电流放大作用?
晶体管正弦波振荡器能够产生振荡的条件是放大倍数足够大、输入和输出电压同相位。
常用晶体管放大电路有哪几种?最常用的晶体管电路是那种? 答:
晶体管的放大作用主要表现在:()A、电流放大B、电压放大C、正向放大
在放大电路中,由于晶体管的内部反馈,可能产生自激,防止的办法除正确选择晶体管的参数及控制各级放大倍数外,常采用()电路。
在高频放大器中加入中和电容作用是()。A、抵消晶体管内部反馈B、使信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配C、提高放大器的增益D、使晶体管输出端负载阻抗不与本级晶体管输入阻抗区配
晶体管具备电流放大的内部条件是()。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
晶体管能够放大的外部条件是()。A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结正偏,集电结反偏
晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。
晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件个为什么?
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是()增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是()。
在正弦波振荡器中,放大器的作用是()。A、把外界激励信号放大到一定的值,使振荡器能够满足振幅平衡条件B、对内部“扰动”信号中的某个频率成分提供足够的放大作用,使振荡器能够满足振幅平衡条件
晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。
晶体管放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。
问答题晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?
填空题在放大电路中,由于晶体管的内部反馈,可能产生自激,防止的办法除正确选择晶体管的参数及控制各级放大倍数外,常采用()电路。
单选题在正弦波振荡器中,放大器的作用是()。A把外界激励信号放大到一定的值,使振荡器能够满足振幅平衡条件B对内部“扰动”信号中的某个频率成分提供足够的放大作用,使振荡器能够满足振幅平衡条件