晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

晶体管有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。


相关考题:

晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏

三极管具有放大作用外部电压条件是发射结和集电结都正偏。()

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,( )加反向电压。A.控制结B.集电区C.基区D.集电结

晶体管处于放大状态的条件为()。 A.发射结正向偏置,集电结正向偏置B.发射结正向偏置,集电结反向偏置C.发射结反向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结反向偏置

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

晶体三极管工作在放大区的条件是()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结正偏D、不确定正反偏

若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,()加反向电压。A、控制结B、集电区C、基区D、集电结

三极管起放大作用的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

晶体三极管工作在放大状态的条件是发射结加(),集电结加()。

晶体管能够放大的外部条件是()。A、发射结反偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结正偏,集电结反偏

晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。

三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流ICEO将()。

三极管有放大作用的外部条件,是发射结(),集电极()。

三极管放大的外部偏置条件是()。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏

半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结()向偏置,集电结()向偏置。

要使晶体三极管对电流起放大作用,则必须使()。A、发射结正向偏置,而集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结也正向偏置C、发射结反向偏置,而集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结也反向偏置

晶体三极管工作在放大状态的外部条件是()。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏

晶体管三极管放大条件是()。A、发射结要正向偏置B、发射结要正向偏置,集电结要反向偏置C、集电结要反向偏置D、发射结要反向偏置,集电结要正向偏置

晶体三级管电流放大的偏置条件是()。A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结正偏,集电结正偏

晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结()。

NPN三极管有电流放大作用,它导通的必要条件是发射结加()向电压,集电结加()向电压。

单选题若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A发射结正偏、集电结正偏B发射结反偏、集电结反偏C发射结正偏、集电结反偏D发射结反偏、集电结正偏

单选题若使晶体管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()。A发射结正偏,集电结正偏B发射结反偏,集电结反偏C发射结正偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏