电阻应变片的电阻相对变化率是与()成正比的。

电阻应变片的电阻相对变化率是与()成正比的。


相关考题:

外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件

电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率

应变片灵敏系数指下列哪一项?(  )A、在单向应力作用下,应变片电阻的相对变化与沿其轴向的应变之比值B、在X、Y双方向应力作用下,X方向应变片电阻的相对变化与Y方向应变片电阻的相对变化之比值C、在X、Y双向应力作用下,X方向应变值与Y方向应变值之比值D、对于同一单向应变值,应变片在此应变方向垂直安装时的指示应变与沿此应变方安装时指示应变的比值(比百分数表示)

电阻应变片的灵敏度系数K指的是(  )。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化

应变片的灵敏系数是指(  )。A.在单向应力作用下,应变片电阻的相对变化与沿其轴向的应变之比值B.在X、Y双向应力作用下,X方向应变片电阻的相对变化与Y方向应变片电阻的相对变化之比值C.在X、Y双向应力作用下,X方向应变与Y方向应变之比值D.对于同一单向应变值,应变片在与此应变方向垂直安装时的指示应变与沿此应变方向安装时指示应变的比值

电阻应变计公式 dR=k?ε?R 揭示了A.单位应变所造成的相对电阻变化B.电阻变化率与机械应变之间确定的线性关系C.电阻应变计输出信号与输人信号在数量上的关系D.电阻变化率对应变的灵敏度E.机械量与电量之间的相互转换关系

电阻应变片的电阻相对变化率与()成正比。

贴电阻片处的应变为1500με,电阻片的灵敏系数K=2.0,在这个电阻片上产生的电阻变化率应是()。A、0.2%B、0.4%C、0.1%D、0.3%

应变片测量应变的理论基础是:在一定范围内,应变片的电阻变化率与应变成()关系。

沿应变片轴向的应变ex必然引起应变片电阻的相对变化,而沿垂直于应变片轴向的横向应变ey也会引起其电阻的相对变化,这种现象称为()。

金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积

当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

金属电阻应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的()变化产生的。A、尺寸B、电阻率C、形状D、材质

金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可

当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受一维应力作用时,应变片灵敏系数K的定义是()。A、应变片电阻相对变化与试件主应力之比B、应变片电阻与试件主应力方向的应变之比C、应变片电阻相对变化与试件主应力方向的应变之比D、应变片电阻相对变化与试件作用力之比

单选题金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A贴片位置的温度变化B电阻丝几何尺寸的变化C电阻丝材料的电阻率变化

填空题当测量较小应变值时,应选用电阻应变效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

单选题电阻应变片的灵敏度系数K指的是()。A应变片电阻值的大小B单位应变引起的应变片相对电阻值变化C应变片金属丝的截面积的相对变化D应变片金属丝电阻值的相对变化

单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A金属应变片主要利用压阻效应B金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

填空题沿应变片轴向的应变ex必然引起应变片电阻的相对变化,而沿垂直于应变片轴向的横向应变ey也会引起其电阻的相对变化,这种现象称为()。

单选题电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。A单位应变的电阻变化量B单位电阻的应变变化量C单位应变的电阻变化率D单位电阻的应变变化率

填空题电阻应变片的电阻相对变化率与()成正比。

填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

填空题电阻应变片的电阻相对变化率是与()成正比的。