焊后热处理是指（）。A高温退火B中温退火C低温退火
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
通常浇铸出砂后的铸铁都要进行退火，用得最普遍的是进行（）。A、扩散退火B、完全退火C、不完全退火D、去应力退火
15钢板冷变形后应进行的热处理工艺是（）。 A、完全退火B、低温退火C、再结晶退火D、球化退火
连杆锻造成型后应采用（）。 A、完全退火B、不完全退火C、再结晶退火D、低温退火
工件焊接后应进行（）。A、重结晶退火B、去应力退火C、再结晶退火D、扩散退火
（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。A、热退火B、激光退火C、连续激光退火D、脉冲激光退火
均匀化退火后的组织晶粒往往较为粗大，需进行（）处理。A、完全退火B、低温退火C、球化退火D、等温退火
判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A对B错
问答题离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？
问答题为什么晶体晶格离子注入工艺后需要高温退火？使用RTA退火有什么优点？
单选题均匀化退火后的组织晶粒往往较为粗大，需进行（）处理。A完全退火B低温退火C球化退火D等温退火
单选题连杆锻造成型后应采用（）A完全退火B不完全退火C再结晶退火D低温退火
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
问答题为何在离子注入后， 需要热处理（ Thermal Anneal）的工艺？
单选题焊后热处理是指（）。A高温退火B中温退火C低温退火