晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()。 A、集电极电流减小B、集电极与发射极电压VCE上升C、集电极电流增大
晶体三极管用于放大时,则()。 A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）A.发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
晶体三极管工作在放大区的条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏D、不确定正反偏
晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。A、发射结反偏B、集电结反偏C、基结反偏D、接收结反偏
当发射结正偏、集电结反偏时，晶体三极管工作在放大状态。
晶体三极管工作在放大状态时，应满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，下列哪种说法正确（）。A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管理将截止C、晶体三极管理的集电结将是正偏D、晶体三极管理发射结将反偏
晶体三极管要处于截止状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
晶体三极管要处于放大状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结及偏集电结正偏
晶体三极管处于放大状态的条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏
晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（）A、增大B、减少C、反向D、几乎为零
晶体三极管工作在饱和区时，要求（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A、集电极电流减小B、集电极电压Uc上升C、集电极电流增大
晶体三极管工作在放大状态的外部条件是（）。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结（）。
单选题晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）A发射结正偏、集电结反偏B发射结正偏、集电结正偏C发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏
单选题如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。A集电极电流减小B集电极电压Uc上升C集电极电流增大
单选题晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A发射结正偏、集电结反偏B发射结正偏、集电结正偏C发射结反偏、集电结正偏D.发射结反偏、集电结反偏
单选题当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A放大状态B饱和状态C截止状态