晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
晶体三极管用于放大时,则()。 A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结正偏，基集反偏
BJT处于截止状态的条件是()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
三极管工作于放大状态的条件是（ ）。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
三极管放大区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
晶体三极管工作在放大区的条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结正偏D、不确定正反偏
晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
晶体三极管处于放大状态的条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏
三极管工作在放大状态的条件（）。A、发射结与集电结都正偏B、发射结与集电结都反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结都反偏
晶体三极管放大区的特点是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管工作在饱和区时，要求（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
晶体三极管工作在放大状态的外部条件是（）。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
晶体三极管要处于放大状态，必须满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管用于放大时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，基集反偏
单选题晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）A发射结正偏、集电结反偏B发射结正偏、集电结正偏C发射结反偏、集电结正偏D发射结反偏、集电结反偏
单选题晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A发射结正偏、集电结反偏B发射结正偏、集电结正偏C发射结反偏、集电结正偏D.发射结反偏、集电结反偏
单选题若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A发射结正偏、集电结正偏B发射结反偏、集电结反偏C发射结正偏、集电结反偏D发射结反偏、集电结正偏