问答题试述微波光电导法测试少子寿命的原理,并分析光强/重金属杂志对少子寿命的测量有何影响?

问答题
试述微波光电导法测试少子寿命的原理,并分析光强/重金属杂志对少子寿命的测量有何影响?

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PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移

往荧光溶液中加入重金属离子后,荧光溶液的荧光强度有何影响A、荧光强度增加B、荧光强度明显增加C、荧光强度不变D、荧光强度降低E、荧光强度可能增加,也可能降低

试述影响种子寿命的因素以及延长保持种子寿命的措施。

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下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()A、漂移迁移率B、电导迁移率C、霍尔迁移率D、磁阻迁移率

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下列不属于减少暗电流和A因子的办法是()A、抑制高掺杂效应B、增加各区少子寿命C、加强漂移场减少表面负荷D、增加空间电荷区的复合能级

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考虑一个特殊的半导体样品,通过计算,已知少子辐射复合寿命为150μs,俄歇复合寿命为50μs,陷阱复合过程的寿命为25μs,假设没有其它的有效复合过程,那么该材料少子的净寿命是()A、15μsB、225μsC、1.5μsD、20μs

在N型半导体中,多子是(),少子是();在P型半导体中,多子是(),少子是()

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填空题扩散电容反映的是 PN 结的()电荷随外加电压的变化率。正向电流越大,则扩散电容就越();少子寿命越长,则扩散电容就越()。