单选题使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。A0-5B5-10C10-15D15-20

单选题
使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。
A

0-5

B

5-10

C

10-15

D

15-20

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某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
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使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取( )V。 A、0-5B、5-10C、10-15D、15-20
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驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()
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二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。A.0.2B.0.4C.0.5D.0.7
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功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
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硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
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晶闸管的阳极直流电位是20V，阴极电位是0V，给控制极3V触发电压，此时晶闸管导通；当取消3V触发电压时，晶闸管（）。A、截止B、导通截止C、导通D、截止导通
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MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
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结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
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可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（）
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二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
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N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
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在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
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电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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