单选题使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。A0-5B5-10C10-15D15-20
单选题
使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取()V。
A
0-5
B
5-10
C
10-15
D
15-20
参考解析
解析:
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。
填空题可控硅导通后,要使可控硅由导通转为阻断,须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行,通常取()