单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。A被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B半导体、荧光体3种CAEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E形状、数量应根据摄影部位选择
单选题
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。
A
被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B
半导体、荧光体3种
C
AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关
D
探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样
E
形状、数量应根据摄影部位选择
参考解析
解析：
自动曝光控时分为光电管自动曝光控时和电离室自动曝光控时两种方式。
相关考题：
关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E、形状、数量应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D、探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E、探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。A被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B半导体、荧光体3种CAEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E形状、数量应根据摄影部位选择
单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B探测器有电离室式、半导体、荧光体3种CAEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
单选题关于-DSA自动曝光的叙述，错误的是（）A有光电管自动曝光控制B有电离室自动曝光控制C光电管自动曝光控制的基础是荧光效应D电离室自动曝光控制的基础是电离效应E-DSA检查一般选择手动曝光条件
单选题关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。A根据被照体厚薄预先确定曝光量B有电离室式探测器CAEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D有半导体式探测器E探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
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