关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是A、被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D、探测器置于屏胶体系之前还是之后,效果不一样E、形状、数量应根据摄影部位选择

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是

A、被照体很薄时,AEC也可立即切断X线

B、半导体、荧光体3种

C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关

D、探测器置于屏胶体系之前还是之后,效果不一样

E、形状、数量应根据摄影部位选择


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关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是A、利用气体的电离效应B、X线强度大时,电离电流大C、X线强度大时,曝光时间长D、电容充电电流与X线曝光量成反比E、电离电流小时,曝光时间长

关于自动曝光控制(AEC)的解释,错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择

关于X线信息的传递叙述错误的是A、X线是信息的载体B、被照体可作为信息源C、被照体因素不包括组织器官厚度D、信息的质与量取决于被照体因素及射线因素E、增感屏可将X线转换为荧光分布

下列关于自动曝光控制的叙述,错误的是A.可采用荧光体型探测器B.可采用电离室型探测器C.可减少人为条件选择不当的失误D.可自动切断X线的产生E.多在一钮制设备中使用

关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是 A.利用气体的电离效应B.X线强度大时,电离电流大C.X线强度大时,曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量呈反比E.电离电流小时,曝光时间长

有关中心线、照射野的叙述,错误的是A、X线束入射于被照体的曝光面的大小称照射野B、摄影时照射野应缩小到能容下被检部位的标度C、照射野的大小大多用遮线器控制D、来自中心部分的X线为中心线E、中心线必须垂直于被照体中心

关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述,错误的是 A、选用150kV管电压的X线机B、选用低栅比滤线器C、选用密纹滤线栅D、可用空气间隙效应代替滤线栅E、采用自动曝光控制(AEC)

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是A.被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B.探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C.AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D.探测器置于屏胶体系之前还是之后,效果不一样E.探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择

关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述,错误的是A.选用150kV管电压的X线机B.选用低栅比滤线器C.选用密纹滤线栅D.可用空气间隙效应代替滤线栅E.采用自动曝光控制(AEC)