关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是 A.利用气体的电离效应B.X线强度大时，电离电流大C.X线强度大时，曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量呈反比E.电离电流小时，曝光时间长
关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是
A.利用气体的电离效应
B.X线强度大时，电离电流大
C.X线强度大时，曝光时间长
D.电容充电电流与X线曝光量呈反比
E.电离电流小时，曝光时间长
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关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择