晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
相关考题：
NPN三极管放大导通必须满足这样的条件,即()。 A、发射极加正向电压，集电极加反向电压B、发射极加反向电压，集电极加正向电压C、集电结加正向电压，发射结加反向电压D、集电结加反向电压，发射结加正向电压
关于三极管输入特性曲线的特点，下面描述正确的是（）。A．硅三极管导通压降约为0.3V，锗约为0.7V。B．三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个开启电压。C．三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个导通电压。D．三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有二种状态，即截止状态和导通状态。