硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→__________→逐级进行的。

硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→__________→逐级进行的。


相关考题:

写出铁氧化物在高炉内还原顺序。

高炉内按温度区间和还原主要反应划分,()为直接还原区。

高炉内还原1kg硅所耗热量是还原1kgFe铁的()倍。A、4B、5C、8D、6

硅的还原是按照()的顺序逐级进行的。

促进硅还原的措施有()。A、提高炉渣碱度B、增加炉渣中SiO2的数量C、提高高炉下部温度D、降低高炉下部温度

硅的还原是()进行的。A、逐级B、一级C、二级D、三级

硅还原量与()和SiO2的活度成正比。

根据高炉解剖研究和高炉生产取样测定,都表明硅是在炉腰或炉腹上部才开始还原的。

硅的还原是在高炉的()或()上部才开始,达到()水平面时达到最高,此时铁中含硅量是终铁含硅量的()倍。

高炉内铁氧化物的还原与()为界,还原顺序不同。A、8000B、9000C、5700D、11000

高炉内氧化物在逐级还原的过程中()是最关键的。A、FeB、FeOC、Fe3O4D、Fe2O3

高炉内铁氧化物的还原是由高级向低级氧化物逐级还原的。

硅铁的含量越高,SiO2开始还原()亦越高,亦即还原越困难。

随着钢液中硅含量的增加,脱氧产物将按下列顺序而变化:FeO+2FeO·SiO2→FeO·SiO2—FeO·SiO2→SiO2(s)。

促进硅还原的措施有;答案()A、提高炉渣碱度B、增加炉渣中SiO2数量C、提高高炉下部温度D、降低高炉下部温度

硅的还原是按()→()→()的顺序逐级进行的。

根据高炉内硅还原的机理,降低生铁含硅的途径是:首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度;其次降低风口前燃烧温度,直接减少SiO的发生量;三是应减少入炉的SiO2量,降低炉渣中SiO2的活度。

硅的还原从滴落带开始,还原的途径有三种:渣铁反应、渣焦反应、气相SiO2还原,其中()是硅还原的主要途径。A、 渣铁反应B、 渣焦反应C、 气相SiO2还原

下列()是硅还原的特点?A、硅在炉腰或炉腹上部开始还原B、铁中含硅量是最终铁含硅量的2.34-3.87倍C、硅在炉腹中部还原量最大D、硅在滴落带内被大量还原

关于高炉内Si的还原叙述正错误的是()A、Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行B、提高炉温有利于Si的还原C、提高炉渣碱度有利于Si的还原D、高压操作利于冶炼低硅生铁

1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si,到达风口时[Si]含量达到最大值。

硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。

根据高炉解剖研究表明:硅在炉腰或炉腹上部才开始还原,达到()时还原出的硅含量达到最高值。A、铁口B、滴落带C、风口D、渣口

高炉内影响硅还原的因素有哪些?

高炉内硅的还原顺序为()、()、()。

硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→()→Si逐级进行的。

冶炼低硅尘铁,适当提高炉渣碱度是因为()。A、提高炉渣的脱硫能力B、降低炉渣的熔化温度C、保证充足炉温D、抑制锰的还原从而抑制硅的还原