用户创建的数据库的大小不能小于3MBA。() 此题为判断题(对,错)。
图示结构,P=1在AB段移动时,K截面的弯矩影响线值MK为零。() 此题为判断题(对,错)。
图示结构受一水平向右的力P作用,自重不计,铰支座A的反力RA的大小为( )。
图示结构,由细长压杆组成,各杆的刚度均为EI,则P的临界值为:
图示结构受力P作用,杆重不计,则A支座约束力的大小为:
图示结构,EI=常数,截面高h=常数,线膨胀系数为a,外侧环境温度降低t°C,内测环境温度升高t°C,引起的C点竖向位移大小为:
图示结构,各杆EI=常数,不计轴向变形,MBA及MCD的状况为:A. MBA≠0,MCD=0 C. MBA=0,MCD≠0B.MBA=0,MCD=0 D. MBA≠0,MCD≠0
图示结构EI=常数,不考虑轴向变形,MBA为(以下侧受拉为正)( )。
图示结构,当支座B发生沉降Δ时,支座B处梁截面的转角大小为:
图示结构MK、QK的影响线在A处的值(绝对值)为( )。A.0m;0mB.0m;1mC.2m;0mD.2m;1m
图示结构(杆件截面为矩形)在温度变化时,已知t1>t2。若规定内侧受拉的弯矩为正,则各杆端弯矩为:A. MBC=MBA=MAB>0B. MBC=MBA=MABC. MBC=MBAAB>0D. MBC=MBA>0,MAB
图示对称结构MAD=ql^2/36(左拉),FNAD=-5ql/12(压),则MBA为(以下侧受拉为正)( )。A. -ql^2/6B. ql^2/6C. -ql^2/9D. ql^2/9
图示结构,EI=常数,截面高h=常数,线膨胀系数为α,外侧环境温度降低t℃,内侧环境温度升高t℃,引起的C点竖向位移大小为( )。
图示结构K截面的弯矩值为(以内侧受拉为正)( )。A、PdB、-PdC、2PdD、-2Pd
图示结构当水平支杆产生单位位移时(未注的杆件抗弯刚度为EI),B-B截面的弯矩值为( )。
图示结构,在动荷载作用下所产生的振幅表示为,其中a值应为:
图示结构,EA=常数,线膨胀系数为。若温度降低t℃.则两个铰支座A、B的水平支座反力的大小为( )。
图示结构的最终弯矩MBA和MBC分别为:A. 0.5M,0.5M B. 0.4M , 0.6MC. 3/7M,4/7M D. 0.6M , 0.4M
图示连续梁,弯矩MBA的数值等于: A. 0.5kN ? m B. 1kN ? mC. 1.5kN ? mD. 2kN ? m
图示结构(EI =常数)用力矩分配法计算时,分配系数μBC的值是:
图示结构用力矩分配法计算时,分配系数μBC的值为:
辛烷值的大小与分子结构有着密切的关系,相同分子量的化合物其辛烷值顺序为:()。
一张标准的CD-ROM其容量大小为()MBA、540B、600C、650D、740
单选题图示结构K截面的弯矩值为(以内侧受拉为正)( )。A PdB -PdC 2PdD -2Pd
单选题图示结构值的大小为( )。A Pl/2B Pl/3C Pl/4D Pl/5