纵向集成度
纵向集成度
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和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
下列有关Moore定律正确叙述的是（）。A、单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番B、单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番C、单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番D、单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番
单选题下列有关Moore定律正确叙述的是（）。A单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番B单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番C单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番D单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番
问答题提高纵向集成度容易带来的问题。