在功率场效应管中，参与导电的有（）

在功率场效应管中，参与导电的有（）

相关考题：

场效应管仅靠半导体中的多数载流子导电。()
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IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
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晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
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场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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简述场效应管的导电原理是什么。
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关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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功率场效应管的三个引脚中栅极相当于晶体管的（）
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结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
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耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
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在机电接口的功率接口中常用的驱动元件有（）A、功率晶体管B、晶闸管C、功率场效应管D、固态继电器
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IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
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场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。
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场效应管是（）器件，只依靠（）导电。
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当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
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下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
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下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
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在电解质溶液中，参与导电的载流子是溶液分子中的质子。
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晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
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问答题简述场效应管的导电原理是什么。
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多选题在机电接口的功率接口中常用的驱动元件有（）A功率晶体管B晶闸管C功率场效应管D固态继电器
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单选题关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
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单选题关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。A无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电
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问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
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填空题在功率场效应管中，参与导电的有（）
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单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A电子B空穴C多数载流子D少数载流子
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