系统控制寄存器NVIC和处理器内核接口紧密耦合，主要目的是（）A、结构更紧凑，减小芯片的尺寸B、连接更可靠，减小出错的概率C、减小延时，高效处理 最近发生的中断D、无所谓，没有特别的意思，远一点也没有关系

系统控制寄存器NVIC和处理器内核接口紧密耦合，主要目的是（）

  • A、结构更紧凑，减小芯片的尺寸
  • B、连接更可靠，减小出错的概率
  • C、减小延时，高效处理 最近发生的中断
  • D、无所谓，没有特别的意思，远一点也没有关系

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进行定位焊的主要目的是()。 A、防止焊接变形和尺寸误差B、保证焊透C、减小焊接应力D、减小热输入
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下面与AMBA（Advanced Microcontroller Bus Architecture）有关的叙述中，错误的是（）。A.AMBA规定了ARM处理器内核与处理芯片中快速组件的接口标准（通常称为系统总线）B.AMBA规定了ARM处理器内核与处理芯片中外围端口及慢速设备接口组件的接口标准（通常称为外围总线）C.基于ARM内核的嵌入式芯片以ARM内核为基础，通过AMBA总线技术将其他硬件组件连接在一起，组成片上系统的形式D.由于AMBA是一种标准，因此自制定之后就不会更改
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建设工程项目在施工时盲目赶工，会导致（　）。A、安全事故发生的概率减小 B、施工成本增加的概率减小 C、文明施工实现的概率增加 D、质量事故发生的概率增加
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调制的目的之一是（）。A、减小接收天线的尺寸B、减小发射天线的尺寸C、降低干扰
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下面是关于ARM嵌入式芯片中的中断控制器及向量中断控制器（VIC）和嵌套向量中断控制器（NVIC）的叙述，其中错误的是（）。A、只有当一个新的中断的优先级高于当前正在执行的中断处理的优先级时，VIC才向内核提出中断请求B、NVIC可以进行中断的嵌套，即高优先级的中断可以进入低优先级中断的处理过程中，待高优先级中断处理完成后才继续执行低优先级中断C、目前基于ARM内核的嵌入式芯片中的中断控制器仅支持向量中断D、基于ARM内核的嵌入式芯片中的中断控制器挂在AMBA的系统总线上
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在燃烧室头部安装旋流器的目的是（）A、结构强度的需要B、降低气流速度C、减小流动损失的需要D、可以使压力更均匀
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将燃烧室头部做成扩散形通道的目的是（）A、结构强度的需要B、降低气流速度C、减小流动损失的需要D、可以使压力更均匀
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螺纹联接预紧的目的之一是（）A、增强联接的可靠性和紧密性B、增加被联接件的刚性C、减小螺栓的刚性
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进气门晚关的目地是（）A、充分利用气流的惯性，增加进气量B、减小进气阻力C、排气更容易D、减小进气量
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拉深后坯料的径向尺寸（），切向尺寸（）。A、增大；减小B、增大；增大C、减小；增大D、减小；减小
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STM32的嵌入向量中断控制器（NVIC）管理着包括Cortex-M3核异常等中断，其和ARM处理器核的接口紧密相连，可以实现（）的中断处理，并有效地处理晚到中断。
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可摘局部义齿的应力中断设计主要目的是（）。A、增强牙合力B、减轻基牙负担C、减小基托面积D、减小义齿牙合力E、使用方便
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要想轧制更薄的板带钢，有效的减小轧辊的弹性压扁是没有用处。
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下述说法正确的是（）A、焊缝尺寸对焊接变形无影响B、适当减小焊缝尺寸能减小焊接变形C、适当增大焊缝尺寸能减小焊接变形D、适当减小焊缝尺寸能增大焊接变形
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半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
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高效液相色谱中，减小样品的进样量或进样体积将会使分离度（）。A、增加B、减小C、不变D、两者没有关系
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简要说明ARM处理器内核、芯片之间的相互关系。
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下面是关于AMBA（Advanced Microcontroller Bus Architecture）的叙述： Ⅰ.AMBA有助于开发带有大量控制器和外设的多处理器系统 Ⅱ.AMBA规定了ARM处理器内核与处理芯片中快速组件的接口标准 Ⅲ.AMBA规定了ARM处理器内核与处理芯片中外围端口及慢速设备接口组件的接口标准 Ⅳ.AMBA有多个版本，其总线性能也不断提高 上述叙述中，正确的是（）。A、仅Ⅰ和ⅡB、仅Ⅱ和ⅢC、仅Ⅰ和ⅢD、全部
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两类错误关系是指（）A、弃真错误概率大，采伪错误概率也增大B、弃真错误概率大，采伪错误概率减小C、弃真错误概率小，采伪错误概率也减小D、两类错误没有关系
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在符合朗伯特-比尔定律的范围内，溶液的浓度、最大吸收波长、吸光度三者的关系是（）A、增加、增加、增加B、减小、不变、减小C、减小、增加、减小D、增加、不变、减小
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波束扩散角是芯片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，芯片直径增加，扩散角（）。A、增加B、减小C、平方增加D、不变
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减小电容耦合干扰电压的有效方法有三种：减小电流强度、（）、减小电容。
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单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A随频率增加、晶片尺寸减小而减小B随频率或晶片尺寸减小而增大C随频率或晶片尺寸减小而减小D频率增加、晶片尺寸减小而增大
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单选题拉深后坯料的径向尺寸（），切向尺寸（）。A增大；减小B增大；增大C减小；增大D减小；减小
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单选题在符合朗伯特-比尔定律的范围内，溶液的浓度、最大吸收波长、吸光度三者的关系是（）A增加、增加、增加B减小、不变、减小C减小、增加、减小D增加、不变、减小
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单选题两类错误关系是指（）A弃真错误概率大，采伪错误概率也增大B弃真错误概率大，采伪错误概率减小C弃真错误概率小，采伪错误概率也减小D两类错误没有关系
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多选题影响高频开关电源的主电路方案的因素是（）；A输入输出电压、电流范围与半导体器件规格的配合B开关的工作频率C电路的可靠性，工作范围的适应性D减小体积、重量和提高效率；较小损耗可减小散热器的尺寸和重量；E减小对电网的污染
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