对ZnO性质和应用描述错误的是()。 A、禁带宽度比较大B、间接带隙C、可以作蓝光LEDD、可以作透明电极
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
布里渊区的界面附近，费米面和能级密度函数有何变化规律？哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象？试分析禁带的产生原因。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带