填空题()温度确定的依据是焦饼中心温度。

填空题
()温度确定的依据是焦饼中心温度。

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相关考题:

确定炼焦标准温度的依据是()。A.焦饼中心温度;B.立火道温度;C.小烟道温度。

焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机、焦侧温度差的依据。()此题为判断题(对,错)。

()温度确定的依据是焦饼中心温度。

确定标准温度的依据是() A、横墙温度B、焦饼中心温度C、直行温度

对于同一座焦炉,标准温度是根据焦饼中心温度来确定的,结焦时间越长,标准温度越()。

确定炼焦标准温度的依据()。A、立火道温度B、焦饼中心温度C、小烟道温度

确定炼焦标准温度的依据是()。A、焦饼中心温度B、立火道温度C、烟道温度D、直行温度

在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据,同时又是确定机焦侧温度差的依据。

通常表征焦炭成熟的温度指标是()。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、标准火道温度D、横排温度

焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。

一般焦饼中心温度达到()可视为焦饼成熟。

测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?

测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。

焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机.焦侧温度差的依据。

焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃

焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。

最能反映焦炭成熟的温度指标是()。A、炉顶空间温度B、焦饼中心温度C、直行温度D、横排温度

焦饼中心温度为900±50℃。

焦饼中心温度上下两点温度差不超过()℃。

填空题()温度确定的依据是焦饼中心温度。

判断题焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据,同时又是确定机焦侧温度差的依据。A对B错

判断题焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据,同时又是确定机,焦侧温度差的依据。A对B错

填空题对于同一座焦炉,标准温度是根据焦饼中心温度来确定的,结焦时间越长,标准温度越()。

单选题确定炼焦标准温度的依据()。A立火道温度B焦饼中心温度C小烟道温度

单选题确定炼焦标准温度的依据是()。A焦饼中心温度B立火道温度C烟道温度D直行温度

问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度?怎样测量焦饼中心温度?

单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。A800±50℃B900±50℃C1000±50℃D1100±50℃