三型机光子探头采用()器件。A、碲镉汞B、铂电阻C、热敏电阻D、密封

三型机光子探头采用()器件。

  • A、碲镉汞
  • B、铂电阻
  • C、热敏电阻
  • D、密封

相关考题:

三型机的器件温度异常与()无关。A、光子探头B、测温板C、温控板D、19芯电缆

碲镉汞器件的波长范围λ为()。A、1~3μmB、3~5μmC、5~7μmD、7~9μm

碲镉汞响应时间常数比热敏电阻小()数量级。A、一个B、二个C、三个D、四个

在三型机中,盘温可代表()。A、环温B、热靶温度C、探头内部温度D、光子器件温度

下面哪几项可以体现HBDS-III型机的自适应特性()。A、采用碲镉汞器件B、铂电阻测温C、热靶标定D、探头标定

三型机光子探头采用()器件。A、碲镉汞B、铂电阻C、热敏电阻D、密封

碲镉汞器件的峰值波长为()。A、3.6μmB、4.6μmC、5.6μmD、3μm

热敏探头指探头采用热敏电阻元件,热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、()。A、锑镉汞直流探头B、锑镉汞交流探头C、锑镉汞调制探头D、热敏电阻调制探头

THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制()温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、碲镉汞光子器件D、热靶

(康拓)THDS-B系统制冷板是控制()温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、热靶D、碲镉汞光子器件

光子探头采用()材料作为温度传感元件。A、锑镉汞B、锑镉铟C、锑镉铋D、贡镉铟

(康拓)THDS-A系统校零板实现对两个()校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件

THDS-A(哈科所)探测站中,碲镉汞器件需要在低温条件下工作,以获得比较高的(),因此要对碲镉汞进行致冷。A、响应率B、信噪比C、兑现率D、准确率E、灵敏度

HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe(锑镉汞)核心元件,采用密闭充氮三级半导体制冷,工作环境低于环温()。A、60℃B、70℃C、80℃D、90℃

THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为()A、双浸没热敏电阻B、碲镉汞光子器件C、铂电阻D、普通电阻

THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个()校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件

(康拓)THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。

单选题THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为()A双浸没热敏电阻B碲镉汞光子器件C铂电阻D普通电阻

单选题(康拓)THDS-B系统制冷板是控制()温度的电路板。A热电阻B铂电阻C热靶D碲镉汞光子器件

多选题THDS-A(哈科所)探测站中,碲镉汞器件需要在低温条件下工作,以获得比较高的(),因此要对碲镉汞进行致冷。A响应率B信噪比C兑现率D准确率E灵敏度

单选题THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个()校零的电路板。A光子探头B热敏探头C热靶D碲镉汞光子器件

单选题HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe(锑镉汞)核心元件,采用密闭充氮三级半导体制冷,工作环境低于环温()。A60℃B70℃C80℃D90℃

判断题(康拓)THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。A对B错

单选题光子探头采用()材料作为温度传感元件。A锑镉汞B锑镉铟C锑镉铋D贡镉铟

多选题下列光电导器件中那些属于本证光电导器件()A锗掺汞B硫化镉C硫化铅D锑化汞E碲鎘汞

问答题晶体碲镉汞是一种连续固溶体半导体,是目前最重要的红光探测器件材料,请从结构上分析碲镉汞作为探测器 材料的优势和缺点。

单选题热敏探头指探头采用热敏电阻元件,热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、()。A锑镉汞直流探头B锑镉汞交流探头C锑镉汞调制探头D热敏电阻调制探头

单选题THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制()温度的电路板。A热电阻B铂电阻C碲镉汞光子器件D热靶