集成电路型保护或微机型保护的弱信号线不得和有强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近。
集成电路型保护或微机型保护的弱信号线不得和有强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近。
相关考题：
对于集成电路型保护及微机型保护而言,下列说法正确的是()。 A.弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近B.因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近C.在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近
我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（ ）A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型
对于微机型保护而言：（）A、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近B、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近C、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近D、说法都不对
对于集成电路型保护及微机型保护而言，（）。A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近D、以上均不正确
继电保护按发展阶段分类有（）A、电磁式、晶体管式、集成电路型、微机型、现代化网络型B、电磁式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型C、磁电式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型D、电磁式、磁电式、晶体管式、集成电路型、微机型
对于集成电路型保护及微机型保护而言：A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近
保护装置本体抗干扰要求正确的有（）。A、保护装置的箱体，必须经试验确证可靠接地B、所有隔离变压器（电压、电流、直流逆变电源、导引线保护等）的一二次线圈间必须有良好的屏蔽层，屏蔽层应在保护屏可靠接地C、外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点，进入保护后应经光电隔离D、半导体型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（）A、机电型；晶体管型；整流型；集成电路型；微机型B、机电型；整流型；集成电路型；晶体管型；微机型C、机电型；整流型；晶体管型；集成电路型；微机型
集成电路型保护或微机型保护的交流及直流电源来线，可以不经过抗干扰电容，然后才进入保护屏内。