对于集成电路型保护及微机型保护而言，（）。A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近D、以上均不正确
对于集成电路型保护及微机型保护而言，（）。
- A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近
- B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近
- C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近
- D、以上均不正确
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对于集成电路型保护及微机型保护而言,下列说法正确的是()。 A.弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近B.因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近C.在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近
我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（ ）A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型
继电保护按发展阶段分类有（）A、电磁式、晶体管式、集成电路型、微机型、现代化网络型B、电磁式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型C、磁电式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型D、电磁式、磁电式、晶体管式、集成电路型、微机型
下列各种类型的继电保护中，在电流、电压等数据采集输入不需要在电流互感器、电压互感器与电子电路之间设置变换、隔离等一些传变环节的是（）。A、晶体管和整流型继电保护B、电磁型继电保护C、集成电路型继电保护D、微机型继电保护
对于集成电路型保护及微机型保护而言：A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近
集成电路型及微机型保护的现场测试时，必须在室内有可能使用对讲机的场所，用无线电对讲机发出的无线电信号对保护作干扰试验。如果保护屏是带有铁门封闭的，试验应分别在铁门关闭与打开的情况下进行，试验过程中保护不允许出现任何异常现象。
保护装置本体抗干扰要求正确的有（）。A、保护装置的箱体，必须经试验确证可靠接地B、所有隔离变压器（电压、电流、直流逆变电源、导引线保护等）的一二次线圈间必须有良好的屏蔽层，屏蔽层应在保护屏可靠接地C、外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点，进入保护后应经光电隔离D、半导体型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（）A、机电型；晶体管型；整流型；集成电路型；微机型B、机电型；整流型；集成电路型；晶体管型；微机型C、机电型；整流型；晶体管型；集成电路型；微机型
填空题集成电路型、微机型继电保护的电流、电压及信号接点引入线应采用屏蔽电缆，同时电缆的屏蔽层在（）可靠接地。